Магнитопроводы серии MSB изготавливаются из тонкой (25 +-5 мкм) аморфной ленты на основе кобальта, имеют прямоугольную петлю гистерезиса и существенно более высокую магнитную проницаемость по сравнению с магнитопроводами из пермаллоевых сплавов на основе Fe-Ni и ферритовыми аналогами. Конструктивно изделия оптимизированы для использования с одновитковой обмоткой, которой обычно является вывод компонента (транзистора, диода). 

Имея очень большую индуктивность в момент перехода тока через нуль, эти изделия эффективно блокируют быстрые изменения электрического тока, которые могли бы привести к электрическим шумам и помехам, а также к повреждению полупроводниковых приборов короткими высокопотенциальными выбросами.

Этот класс изделий обеспечивает более высокое эффективное подавление помех, по существу устраняя причину их возникновения, значительно уменьшает потери по сравнению с классическими RC демпферами и ферритовыми магнитопроводами аналогичного назначения.

КОНСТРУКЦИЯ:

Витой ленточный магнитопровод помещён в жёсткий защитный цилиндрический контейнер из стеклонаполненного полиамида и механически зафиксирован силиконовым герметиком. Контейнер обеспечивает надёжную механическую защиту аморфного материала и сохранение его свойств. Все материалы соответствуют стандарту UL94V-1/0.  

ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ИСПОЛЬЗУЕМОГО АМОРФНОГО МАТЕРИАЛА:  

  • Амплитуда индукции, Вm(25°C) 0,62 T
  • Амплитуда индукции, Вm(90°C) 0,54 T
  • Коэффициент прямоугольности Br/Bm (при 100 кГц, 80 А/м), не менее 0,90
  • Температура Кюри, Тс 225°C
  • Диапазон рабочих температур от  -60°C до +100°C 
  • Магнитострикция менее 0,1x10^-6 

ПРЕИМУЩЕСТВА:

  • Более высокая эффективность блокировки изменений электрического тока
  • Низкие потери
  • Низкие пульсации выходного напряжения импульсных источников питания
  • Экономия площади печатной платы
  • Простота конструкции

ПРИМЕНЕНИЕ:

  • Импульсные источники питания
  • Преобразователи напряжения
  • Схемы управления электродвигателями
  • Переключающие полупроводниковые устройства
  • Миниатюрные синфазные фильтры
  • Защита полупроводниковых приборов

ПРИМЕР ЗАПИСИ:

MSB-03A-N, где:

  • MS - МСТАТОР;
  • B - назначение (помехоподавляющие);
  • 03 - внешний диаметр, мм;
  • А- условное обозначение сечения;
  • N - вид термообработки (без магнитного поля)

ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ И ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

ТИП Габаритные
размеры в контейнере
(без контейн.)
(мм)
Длина
cредней
линии
Lm
(мм)
Эфф.
 сечение
Ас
(мм²)
Коэфф.
индукт.
AL
 (мкГн/вит2)
(50 кГц)
Динамические параметры
@ F=100 Кгц, Нm=1Э (80 А/м), 25°С
Полный
поток
2Фm
(мкBб)
Коэрц.
сила
Hc
(А/м)
Коэфф.
прямоуг.
Br/Bm
(%)
Ном. Ном. Ном. Ном. Min Max Min
MSB– 03A - N 4.0-1.5-4.5
(3.0-2.0-3.0)
7.75 1.2 3.0 1.1 25 88
MSB – 03S - N 4.0-1.5-6.0
(3.0-2.0-4.5)
7.75 1.8 5.0 1.65
MSB – 03B - N 4-1.5-7.5
(3.0-2.0-6.0)
7.85 2.4 7.0 2.2
MSB – 04S - N 5.1-1,5-6.0
(4.0-2.0-4.5)
9.06 3.6 9.0 3.3
MSB – 04B - N 5.1-1.5-7.5
(4.0-2.0-6.0)
9.06 4.8 12.0 4.4
MSB-045A-N 6.5-2.4-6.0
(4.5-4.0-3.0)
13.3 0.59 0.89 0.62
MSB-05A-N 7.0-2.4-6.0
(5.0-4.0-3.0)
14.1 1.17 1.4 1.05
Диапазон рабочих температур от  -60°C до +100°C

ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ: