Синфазные дроссели типа MSSAT предназначены для использования в сетях ISDN или им аналогичных в качестве тококомпенсирующих элементов схемы и обладают следующими преимуществами:

  • низкие общие потери в широком диапазоне частот;
  • малый объём, компактная конструкция (несколько обмоток на 1 магнитопроводе);
  • малые индуктивность рассеивания и паразитная ёмкость

Дроссели выполнены на основе тороидальных магнитопроводов, навитых из тонкой аморфной ленты на основе кобальта. Дроссели помещены в пластмассовый корпус и залиты компаундом. Материалы корпуса соответствуют классу огнестойкости UL94-V0 и степени 120° C по UL746B.

СХЕМЫ:

ПАРАМЕТРЫ РЕЖИМ ИЗМЕРЕНИЯ ТИП ДРОССЕЛЯ ВЕЛИЧИНА, РАЗМЕРНОСТЬ, ЧИСЛО ОБМОТОК СХЕМА РАСПОЛОЖЕНИЯ ВЫВОДОВ СХЕМА ЭЛЕКТРИ- ЧЕСКАЯ
Индуктивность намагничивающей обмотки +50/-30% Напряжение 0,04 В Частота 10 кГц MSSAT01 (ДИ1, ДИ1У) 4x11,5 мГн Фиг. 1, 3 Фиг. 5
MSSAT02 (ДИ2, ДИ2У) 2x28 мГн Фиг. 2, 4 Фиг. 6
MSSAT03 (ДИ3, ДИ3У) 4x58 мГн Фиг. 1, 3 Фиг. 5
MSSAT04 (ДИ4, ДИ4У) 4x1,7мГн Фиг. 1, 3 Фиг. 5
MSSAT05 (ДИ5, ДИ5У) 2x70 мГн Фиг. 2, 4 Фиг. 6
MSSAT06 (ДИ6, ДИ6У) 4 x 5 мГн Фиг. 1, 3 Фиг. 5
MSSAT07 (ДИ7) 4x40 мГн Фиг. 1 Фиг. 5
MSSAT08 (ДИ8, ДИ8У) 2x230мГн Фиг. 2, 4 Фиг. 6
Коэффициент трансформации между обмотками Напряжение на первичной обмотке 0,04 В Частота 10 кГц MSSAT01 ... MSSAT08 (ДИ1 ... ДИ8) 1,0+-1%    
Электрическая прочность изоляции между обмотками Испытательное напряжение переменного тока частотой 50 кГц Время выдержки 2 сек MSSAT01, MSSAT02 (ДИ1, ДИ1У, ДИ2, ДИ2У) 1 кВ    
MSSAT07, MSSAT08 (ДИ7, ДИ8, ДИ8У) 0,5 кВ
Индуктивность рассеяния первой обмотки при коротко замкнутых поочерёдно остальных обмотках max Напряжение 2 В Частота 10 кГц MSSAT01 (ДИ1, ДИ1У) 0,5 мкГн    
MSSAT02 (ДИ2, ДИ2У) 1,0 мкГн
MSSAT03 (ДИ3, ДИ3У) 1,5 мкГн
MSSAT04 (ДИ4, ДИ4У) 2,0 мкГн
MSSAT05 (ДИ5, ДИ5У) 1,0 мкГн
MSSAT06 (ДИ6, ДИ6У) 0,5 мкГн
MSSAT07 (ДИ7) 2,0 мкГн
MSSAT08 (ДИ8, ДИ8У) 5,0 мкГн
Баланс импеданса max Напряжение 40 мВ Частота 100 кГц MSSAT01 (ДИ1, ДИ1У) 2,0 Ом max