Трансформаторы импульсные серии MSAPT предназначены для применения в системах телекоммуникации стандарта ISDN для передачи информации в цифровой форме и согласования интерфейсной линии с приёмными и передающими устройствами.

Трансформаторы выполнены на основе тороидальных магнитопроводов, навитых из тонкой аморфной ленты на основе кобальта. Трансформаторы помещены в пластмассовый корпус и залиты компаундом. Материалы корпусов соответствуют классу огнестойкости UL94-VO и степени 120°C по UL746B.

СХЕМЫ:

Типономинал трансф. Отн. числа витков, +- 2% Инд-ность первичной обмотки L I + III, мкГн, min (1) Инд-ность рассеяния первичной обмотки L I + III, мкГн, max (2) Межобм. ёмкость C w/w пФ, max (3) Сопрот. обмоток пост. току, Oм, +- 20% Импеданс первичной обмотки, ZI = ZIII Oм, min (4) Мин. электр. прочность изоляции, Uэфф, kВ (5) Вид корпуса Схема намотки и распайки
RI RIII R II
MSAPT-2So-11A 1:4:1 35 2,0 90 0,6 3,8 750 2,5 Фиг. 1 n° 1
MSAPT-2Up-11A 1:2,5:1 2,0 (1') 5,3 100 0,8 2,0 - 2,5 Фиг. 1 n° 1
MSAPT-3So-11A 1:4:1 35 2,0 90 0,6 3,8 750 2,0 Фиг. 2 n° 1
MSAPT-3S1-33B 2:2:1:1 35 4,0 100 0,8 2,5 750 2,0 Фиг. 2 n° 2
MSAPT-2S1-33B 2:2:1:1 35 4,0 120 0,8 2,5 750 2,0 Фиг. 2 n°3
(1) При F = 10 кГц, Uэфф = 100 мВ
(1') При F = 10 кГц, Uэфф = 100 мВ, Iпост = 4500 мА х вит
(2) При F = 100 кГц, Uэфф = 100 мВ, обмотки II и IV коротко замкнуты
(3) При F = 10 кГц, Uэфф = 100 мВ
(4) При F = 10 кГц, Urms = 100 мВ, Iпост = 66 мА х вит
(5) F = 50 кГц, время испытания - 1-2 сек.