Трансформаторы импульсные серии MSAPT предназначены для применения в системах телекоммуникации стандарта ISDN для передачи информации в цифровой форме и согласования интерфейсной линии с приёмными и передающими устройствами.
Трансформаторы выполнены на основе тороидальных магнитопроводов, навитых из тонкой аморфной ленты на основе кобальта. Трансформаторы помещены в пластмассовый корпус и залиты компаундом. Материалы корпусов соответствуют классу огнестойкости UL94-VO и степени 120°C по UL746B.
СХЕМЫ
- Габаритные эскизы трансформаторов
- Типовое применение трансформаторов (интерфейс So)
- Типовое применение трансформаторов (интерфейс Upo)
| Типономинал трансф. | Отн. числа витков, +- 2% | Индуктивность первичной обмотки L I + III, мкГн, min (1) | Индуктивность рассеяния первичной обмотки L I + III, мкГн, max (2) | Межобм. ёмкость C w/w пФ, max (3) | Сопрот. обмоток пост. току, Oм, +- 20% | Импеданс первичной обмотки, ZI = ZIII Oм, min (4) | Мин. электр. прочность изоляции, Uэфф, kВ (5) | Вид корпуса | Схема намотки и распайки | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RI RIII | R II | |||||||||
| MSAPT-2So-11A | 1:4:1 | 35 | 2,0 | 90 | 0,6 | 3,8 | 750 | 2,5 | Фиг. 1 | n° 1 |
| MSAPT-2Up-11A | 1:2,5:1 | 2,0 (1') | 5,3 | 100 | 0,8 | 2,0 | - | 2,5 | Фиг. 1 | n° 1 |
| MSAPT-3So-11A | 1:4:1 | 35 | 2,0 | 90 | 0,6 | 3,8 | 750 | 2,0 | Фиг. 2 | n° 1 |
| MSAPT-3S1-33B | 2:2:1:1 | 35 | 4,0 | 100 | 0,8 | 2,5 | 750 | 2,0 | Фиг. 2 | n° 2 |
| MSAPT-2S1-33B | 2:2:1:1 | 35 | 4,0 | 120 | 0,8 | 2,5 | 750 | 2,0 | Фиг. 2 | n°3 |
| (1) При F = 10 кГц, Uэфф = 100 мВ | ||||||||||
| (1') При F = 10 кГц, Uэфф = 100 мВ, Iпост = 4500 мА х вит | ||||||||||
| (2) При F = 100 кГц, Uэфф = 100 мВ, обмотки II и IV коротко замкнуты | ||||||||||
| (3) При F = 10 кГц, Uэфф = 100 мВ | ||||||||||
| (4) При F = 10 кГц, Urms = 100 мВ, Iпост = 66 мА х вит | ||||||||||
| (5) F = 50 кГц, время испытания - 1-2 сек. | ||||||||||
Блоки трансформаторов импульсных для сетей ISDN
Блоки трансформаторов импульсных серии MSAPT предназначены для применения в системах телекоммуникации стандарта ISDN для передачи информации в цифровой форме и согласования интерфейсной линии с приёмными и передающими устройствами.
Блоки трансформаторов выполнены на основе тороидальных магнитопроводов, навитых из тонкой аморфной ленты на основе кобальта. Блоки трансформаторов помещены в пластмассовый корпус и залиты компаундом. Материалы корпусов соответствуют классу огнестойкости UL94-VO и степени 120°C по UL746B.
СХЕМЫ
| Типономинал трансф. | Отн. числа витков, +- 2% | Индуктивность первичной обмотки L I + III, мкГн, min (1) | Индуктивность рассеяния первичной обмотки L I + III, мкГн, max (2) | Межобм. ёмкость C w/w пФ, max (3) | Сопрот. обмоток пост. току, Oм, +- 20% | Импеданс первичной обмотки, ZI = ZIII Oм, min (4) | Мин. электр. прочность изоляции, Uэфф, kВ (5) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RI RIII | R II | Между II и I+III обмотками | ||||||
| MSAPT-2So-22A | (1:2)x2 | 35 | 2,0 | 90 | 0,6 | 3,8 | 750 | 2,0 |
| MSAPT-2So-22B | (1:1)x2 | 30 | 2,0 | 80 | 2,0 | 2,0 | - | 2,0 |
| (1) При F = 10 кГц, Urms = 100 мВ | ||||||||
| (2) При F = 10 кГц, Uэфф = 100 мВ, обмотки II и II' коротко замкнуты | ||||||||
| (3) При F = 10 кГц, Urms = 100 мВ | ||||||||
| (4) При F = 20 кГц, Urms= 100 мВ, Iпост = 66 мА х вит | ||||||||
| (5) Время испытания - 1 сек. | ||||||||
Дроссели интерфейcные для сетей ISDN
Синфазные дроссели типа MSSAT предназначены для использования в сетях ISDN или им аналогичных в качестве тококомпенсирующих элементов схемы и обладают следующими преимуществами:
- низкие общие потери в широком диапазоне частот;
- малый объём, компактная конструкция (несколько обмоток на 1 магнитопроводе);
- малые индуктивность рассеивания и паразитная ёмкость.
Дроссели выполнены на основе тороидальных магнитопроводов, навитых из тонкой аморфной ленты на основе кобальта. Дроссели помещены в пластмассовый корпус и залиты компаундом. Материалы корпуса соответствуют классу огнестойкости UL94-V0 и степени 120° C по UL746B.
СХЕМЫ
| ПАРАМЕТРЫ | РЕЖИМ ИЗМЕРЕНИЯ | ТИП ДРОССЕЛЯ | ВЕЛИЧИНА, РАЗМЕРНОСТЬ, ЧИСЛО ОБМОТОК | СХЕМА РАСПОЛОЖЕНИЯ ВЫВОДОВ | СХЕМА ЭЛЕКТРИ- ЧЕСКАЯ |
|---|---|---|---|---|---|
| Индуктивность намагничивающей обмотки +50/-30% | Напряжение 0,04 В Частота 10 кГц | MSSAT01 (ДИ1, ДИ1У) | 4x11,5 мГн | Фиг. 1, 3 | Фиг. 5 |
| MSSAT02 (ДИ2, ДИ2У) | 2x28 мГн | Фиг. 2, 4 | Фиг. 6 | ||
| MSSAT03 (ДИ3, ДИ3У) | 4x58 мГн | Фиг. 1, 3 | Фиг. 5 | ||
| MSSAT04 (ДИ4, ДИ4У) | 4x1,7мГн | Фиг. 1, 3 | Фиг. 5 | ||
| MSSAT05 (ДИ5, ДИ5У) | 2x70 мГн | Фиг. 2, 4 | Фиг. 6 | ||
| MSSAT06 (ДИ6, ДИ6У) | 4 x 5 мГн | Фиг. 1, 3 | Фиг. 5 | ||
| MSSAT07 (ДИ7) | 4x40 мГн | Фиг. 1 | Фиг. 5 | ||
| MSSAT08 (ДИ8, ДИ8У) | 2x230мГн | Фиг. 2, 4 | Фиг. 6 | ||
| Коэффициент трансформации между обмотками | Напряжение на первичной обмотке 0,04 В Частота 10 кГц | MSSAT01 ... MSSAT08 (ДИ1 ... ДИ8) | 1,0+-1% | ||
| Электрическая прочность изоляции между обмотками | Испытательное напряжение переменного тока частотой 50 кГц Время выдержки 2 сек | MSSAT01, MSSAT02 (ДИ1, ДИ1У, ДИ2, ДИ2У) | 1 кВ | ||
| MSSAT07, MSSAT08 (ДИ7, ДИ8, ДИ8У) | 0,5 кВ | ||||
| Индуктивность рассеяния первой обмотки при коротко замкнутых поочерёдно остальных обмотках max | Напряжение 2 В Частота 10 кГц | MSSAT01 (ДИ1, ДИ1У) | 0,5 мкГн | ||
| MSSAT02 (ДИ2, ДИ2У) | 1,0 мкГн | ||||
| MSSAT03 (ДИ3, ДИ3У) | 1,5 мкГн | ||||
| MSSAT04 (ДИ4, ДИ4У) | 2,0 мкГн | ||||
| MSSAT05 (ДИ5, ДИ5У) | 1,0 мкГн | ||||
| MSSAT06 (ДИ6, ДИ6У) | 0,5 мкГн | ||||
| MSSAT07 (ДИ7) | 2,0 мкГн | ||||
| MSSAT08 (ДИ8, ДИ8У) | 5,0 мкГн | ||||
| Баланс импеданса max | Напряжение 40 мВ Частота 100 кГц | MSSAT01 (ДИ1, ДИ1У) | 2,0 Ом max |
