Готовые образцы в интернет-магазине: Купить

Магнитопроводы серии MSB изготавливаются из тонкой аморфной ленты (18±2 мкм) на основе кобальта АМАГ 172, имеют прямоугольную петлю гистерезиса и существенно более высокую магнитную проницаемость по сравнению с магнитопроводами из пермаллоевых сплавов на основе Fe-Ni и ферритовыми аналогами.

Конструктивно изделия оптимизированы для использования с одновитковой обмоткой, которой обычно является вывод компонента (транзистора, диода).

 пример применения на транзисторе

пример применения на диоде

Имея очень большую индуктивность в момент перехода тока через нуль, эти изделия эффективно блокируют быстрые изменения электрического тока, которые могли бы привести к электрическим шумам и помехам, а также к повреждению полупроводниковых приборов короткими высокопотенциальными выбросами.

Этот класс изделий обеспечивает более высокое эффективное подавление помех, по существу устраняя причину их возникновения, значительно уменьшает потери по сравнению с классическими RC демпферами и ферритовыми магнитопроводами аналогичного назначения.

КОНСТРУКЦИЯ:

Витой ленточный магнитопровод помещён в жёсткий защитный цилиндрический контейнер из стеклонаполненного полиамида и механически зафиксирован силиконовым герметиком. Контейнер обеспечивает надёжную механическую защиту аморфного материала и сохранение его свойств.

Все материалы соответствуют стандарту UL94V-1/0.  

 
 
Более подробно о преимуществах Вы можете ознакомиться в статье:
 

ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ИСПОЛЬЗУЕМОГО АМОРФНОГО МАТЕРИАЛА АМАГ 172:  

  • Амплитуда индукции, Вm (25°C) 0,60 T
  • Амплитуда индукции, Вm (90°C) 0,54 T
  • Коэффициент прямоугольности Br/Bm (при 100 кГц, 80 А/м), не менее 0,88
  • Температура Кюри, Тс 235°C
  • Диапазон рабочих температур от  –60°C до +100°C 
  • Магнитострикция менее 0,1x10-6 

ПРЕИМУЩЕСТВА:

  • Более высокая эффективность блокировки изменений электрического тока
  • Низкие потери
  • Низкие пульсации выходного напряжения импульсных источников питания
  • Экономия площади печатной платы
  • Простота конструкции

ПРИМЕНЕНИЕ:

  • Импульсные источники питания
  • Преобразователи напряжения
  • Схемы управления электродвигателями
  • Переключающие полупроводниковые устройства
  • Миниатюрные синфазные фильтры
  • Защита полупроводниковых приборов

ПРИМЕР ЗАПИСИ:

MSB-03A-N, где:

  • MS - МСТАТОР;
  • B - назначение (помехоподавляющие);
  • 03 - внешний диаметр, мм;
  • А- условное обозначение сечения;
  • N - вид термообработки (без магнитного поля)

ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ И ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

ТИП Габаритные
размеры в контейнере
(без контейн.)
(мм)
Длина
cредней
линии
Lm
(мм)
Эфф.
 сечение
Ас
(мм²)
Коэфф.
индукт.
AL
 (мкГн/вит2)
(50 кГц)
Динамические параметры
@ F=100 Кгц, Нm=1Э (80 А/м), 25°С
Полный
поток
m
(мкBб)
Коэрц.
сила
Hc
(А/м)
Коэфф.
прямоуг.
Br/Bm
(%)
Ном. Ном. Ном. Ном. Min Max Min
MSB-03A-N 4,0 - 1,5 - 4,5
(3,0 - 2,0 - 3,0)
7,75 1,2 3,0 1,1 25 88
MSB-03S-N 4,0 - 1,5 - 6,0
(3,0 - 2,0 - 4,5)
7,75 1,8 5,0 1,65
MSB-03B-N 4,0 - 1,5 - 7,5
(3,0 - 2,0 - 6,0)
7,85 2,4 7,0 2,2
MSB-04S-N 5,1 - 1,5 - 6,0
(4,0 - 2,0 - 4,5)
9,06 3,6 9,0 3,3
MSB-04B-N 5,1 - 1,5 – 7,5
(4,0 - 2,0 - 6,0)
9,06 4,8 12,0 4,4
MSB-045A-N 6,5 - 2,4 - 6,0
(4,5 - 4,0 - 3,0)
13,3 0,59 0,89 0,62
MSB-05A-N 7,0 - 2,4 - 6,0
(5,0 - 4,0 - 3,0)
14,1 1,17 1,4 1,05
Диапазон рабочих температур от  -60°C до +100°C

ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ: