Нанокристаллические магнитопроводы для аудио техники

Серия MSTAN

Готовые образцы в интернет-магазине: Купить

Тороидальные магнитопроводы новой cерии MSTAN-TH изготавливаются из тонкой (20 ± 2 мкм) нанокристаллической ленты на основе железа АМАГ200С и отличаются высокой начальной магнитной проницаемостью (от 50 000), высокой индукцией насыщения (1,2 Тл), узкой линейной петлёй гистерезиса, низкой коэрцитивной силой, низкими потерями, повышенной рабочей температурой, хорошей температурной стабильностью. Магнитопроводы выпускаются в двух конструктивных исполнениях – в пластиковом контейнере (MSTAN-TH) и с покрытием краской (MSTANP-TH).

Магнитопроводы используются в аудиотрансформаторах различного назначения: входных, межкаскадных, выход-ных, фазоинверторах и т.п. В первую очередь изделия предназначены для работы в двухтактных схемах, где отсутствует постоянный ток смещения. Но возможно также применение и в однотактных схемах с компенсационной обмоткой. Применение магнитопроводов серии MSTAN-TH в аудиотрансформаторах позволяет при небольшом числе витков обмоток получить очень большие значения индуктивности первичной обмотки (несколько сотен генри) и импеданса. Высокая индуктивность в сочетании с линейной петлёй гистерезиса позволяет резко снизить искажения в низкочастотной области и расширить диапазон частот до единиц герц. Аудио трансформаторы на основе серии MSTAN-TH имеют отличную электромагнитную связь обмоток, низкую индуктивность рассеяния, высокий коэффициент качества. 

Более подробно о преимуществах Вы можете ознакомиться в статье:
Нанокристаллические материалы для аудиотехники (скачать)

 

КОНСТРУКЦИЯ:

1. MSTAN-TH. Витой ленточный магнитопровод помещён в жесткий защитный контейнер из стеклонаполненного полиамида и механически зафиксирован силиконовым герметиком. Контейнер имеет скруглённые кромки и предназначен для непосредственного нанесения обмотки толстым проводом. Контейнер обеспечивает надёжную механическую защиту нанокристаллического материала и сохранение его свойств. 

2. MSTANP-TH. Для фиксации формы и механической защиты нанокристаллического материала используется покрытие краской на эпоксидной основе. 

* Примечание: покрытие краской уменьшает конечные размеры магнитопровода, но снижает параметры и механическую прочность. Возможность изготовления должна согласовываться с производителем.
Для изделий общего применения диапазон температур от –40 до +85 °C. Все материалы соответствуют стандарту UL94V-1/0.

 

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИСПОЛЬЗУЕМОГО МАТЕРИАЛА АМАГ200C:

  • Амплитуда индукции, Вm (25°C) 1,2 T
  • Температура Кюри, Tc 570°C
  • Магнитострикция, менее 0,5x10-6
  • Магнитная проницаемость (1 кГц) – не менее 50 000
  • Коэффициент прямоугольности (200 Гц) – не более 0,3 

 

ПРЕИМУЩЕСТВА:

  • Линейная узкая петля гистерезиса
  • Высокая начальная магнитная проницаемость
  • Типовая начальная магнитная проницаемость – не менее 80% от максимальной
  • Стабильность проницаемости во всём диапазоне по индукции
  • Высокая индуктивность и импеданс первичной обмотки
  • Возможность работы с высокоомным источником сигнала
  • Малое число витков
  • Низкая паразитная ёмкость обмоток
  • Широкий диапазон частот
  • Хорошая электромагнитная связь обмоток
  • Снижены требования к намотке
  • Низкая индуктивность рассеяния
  • Высокий коэффициент качества
  • Низкий коэффициент гармоник
  • Низкое активное сопротивление обмоток
  • Низкие потери в магнитопроводе и проводах
  • Высокий КПД
  • Повышенная рабочая температура и стабильность

ПРИМЕНЕНИЕ:

  • Аудиотрансформаторы в двухтактных  усилителях
  • Аудиотрансформаторы в однотактных усилителях (с компенсационной обмоткой)
  • Аудиотрансформаторы в ламповых усилителях 
  • Выходные аудио трансформаторы
  • Межкаскадные аудио трансформаторы
  • Трансформаторы для ступенчатых регуляторов громкости
  • Малосигнальные аудиотрансформаторы
  • Микрофонные трансформаторы
  • Согласующие трансформаторы для цифровых источников сигнала 
  • Трансформаторы для фонокорректоров  виниловых дисков
  • Фазоинверторы 
  • Согласующие трансформаторы после ЦАП

ПРИМЕР ЗАПИСИ:

MSTAN(P)-10S-TH, где:

  • MS – MSTATOR;
  • T – назначение (трансформаторы);
  • A – аудио;
  • N – нанокристаллические;
  • P – покрытие краской;
  • 10 – внешний диаметр, мм;
  • S – условное обозначение сечения;
  • TH – прецизионный отжиг в сильном поперечном магнитном поле

ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ И ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

Тип Габаритные размеры в контейнере
[с покрытием краской]
(без контейнера)
(D-d-H)
(мм)		 Длина средней
линии
Lm 
(мм)		 Эффект.
сечение Ac
(мм2)		 Вес
(г)

Коэфф.
индуктивности
AL 1)
(мкГн/ вит2)
1 кГц

 Коэфф. прямоуг.,
не более
(200 Гц)		 Материал контейнера
Номин. Номин. Номин. Min
MSTAN-10S-TH
[MSTANP-10S-TH]
11,3 – 5,3 – 5,6
[11,0 – 5,5 – 5,5]
(10,0 – 6,5 – 4,5)
 25,9 6,0 1,13 13,0 0,3
[0,35]		 Пластик 
[Покрытие краской]
MSTAN-12S-TH
[MSTANP-12S-TH]
14,0 – 6,6 – 6,3
[13,0 – 7,0 – 5,5]
(12,0 – 8,0 – 4,5)
 31,4 6,8 1,57 12,3
MSTAN-15A-TH
[MSTANP-15A-TH]
16,7 – 10,5 – 6,3
[16,0 – 11,0 – 5,5]
(15,0 – 12,0 – 4,5)
 42,4 5,13 1,6 6,8
MSTAN-16A-TH
[MSTANP-16A-TH]
17,8 – 8,3 – 8,1
[17,0 – 9,0 – 7,0]
(16,0 – 10,0 – 6,0)
 40,8 13,7 4,1 18,9
MSTAN-18S-TH
[MSTANP-18S-TH]
19,8 – 10,4 – 6,4
[19,0 – 11,0 – 5,5]
(18,0 – 12,0 – 4,5)
 47,1 10,3 3,5 12,3
MSTAN-20A-TH
[MSTANP-20A-TH]
22,5 – 10,4 – 10,1
[21,0 – 11,5 – 9,0]
(20,0 – 12,5 – 8,0)
 51,0 22,8 8,5 25,3 
MSTAN-25B-TH1
[MSTANP-25B-TH1]
 26,6 – 13,6 – 8,7**
[26,0 – 14,0 – 5,0]
(25,0 – 15,0 – 4,0)		 62,8 15,2 6,9 13,7
MSTAN-25A-TH
[MSTANP-25A-TH]
27,7 – 17,3 – 12,9
[26,0 – 19,0 – 11,0]
(25,0 – 20,0 – 10,0)
 70,7 19,0 9,8 15,2
MSTAN-25S-TH
[MSTANP-25S-TH]
28,4 – 13,8 – 12,2
[26,0 – 17,0 – 11,0]
(25,0 – 16,0 – 10,0)
 64,4 34,2 16,1 30,0 
MSTAN-30S-TH1
[MSTANP-30S-TH1]
 32,6 – 18,1 – 15,5**
[31,0 – 19,0 – 4,0]
(30,0 – 20,0 – 3,0)		 78,5 11,4 6,5 8,2
MSTAN-30S-TH
[MSTANP-30S-TH]
32,7 – 17,8 – 12,4
[31,0 – 19,0 – 11,0]
(30,0 – 20,0 – 10,0)
 78,5 37,5 21,8 27,4
MSTAN-32S-TH
[MSTANP-32S-TH]
34,2 – 17,7 – 12,3
[33,0 – 19,0 – 11,0]
(32,0 – 20,0 – 10,0)
 81,6 45,0 27,2 31,6
MSTAN-40A-TH
[MSTANP-40A-TH]
42,7 – 29,0 – 18,0
[41,0 – 31,0 – 16,0]
(40,0 – 32,0 – 15,0)
 113,0 45,6 37,6 22,8
MSTAN-40S-TH
[MSTANP-40S-TH]
40,7 – 23,4 – 15,3
[39,0 – 25,0 – 13,0]
(38,0 – 26,0 – 12,0)
 100,5 54,7 40,2 30,8
MSTAN-45S-TH
[MSTANP-45S-TH]
48,1 – 21,9 – 23,4
[46,0 – 26,0 – 21,0]
(45,0 – 25,0 – 20,0)
 100,9 152 122,0 78,2
MSTAN-50S-TH 53,8 – 36,2 – 23,9
(50,0 – 40,0 – 20,0)		 141,3 76,0 78,4 30,4
MSTAN-60S-TH 64,0 – 41,0 – 24,5
(60,0 – 45,0 – 20,0)		 164,9 114,0 137,2 39,0
MSTAN-60A-TH 64,0 – 36,0 – 34,0
(60,0 – 40,0 – 30,0)		 157,0 228,0 261 82,0
MSTAN-63A-TH 67,3 – 46,5 – 28,6
(63,0 – 50,0 – 25,0)		 177,4 123,5 160 39,4
MSTAN-64S-TH
(новый)
68,5 – 37,0 – 24,5
(64,0 – 40,0 – 20,0)
 163,3 182,4 217,4 63,0
MSTAN-80A-TH
84,3 – 59,0 – 29,5
(80,0 – 63,0 – 25,0)
 224,5 161,5 265 40,7
MSTAN-80S-TH
(новый)
84,0 – 47,0 – 25,0
(80,0 – 50,0 – 20,0)
 204,1 228,0 340 63,0
MSTAN-90S-TH
(новый)
93,5 – 46,0 – 35,0
(90,0 – 50,0 – 30,0)
 220,0 456,0 732 117,3
MSTAN-100A-TH
(новый)
103,5 – 46,5 – 29,0
(100,0 – 50,0 – 25,0)
 235,5 475,0 817 114,0
MSTAN-100S-TH 104,2 – 75,8 – 24,7
(100,0 – 80,0 – 20,0)		 282,6 152,0 313 30,4
MSTAN-120A-TH
(новый)
124,5 – 75,0 – 36,0
(120,0 – 80,0 – 30,0)
 314,0 456,0 1045 82,0
MSTAN-120S-TH
(новый)
126,0 – 75,0 – 25,5
(120,0 – 80,0 – 20,0)
 314,0 304,0 697 54,7
Примечание: при серийных заказах по согласованию могут быть изготовлены магнитопроводы с внешним диаметром до 200 мм.

1) Iизм.= 10 мА×вит , Т=25°С.

2) Диапазон рабочих температур от   –40°C до +85°С

3) Возможность использования покрытия краской вместо контейнера согласовывается с изготовителем.

** — Контейнер имеет выступы для вставки (установки) разделяющей диэлектрической перегородки. 

 

 

По согласованию возможно изготовление вышеприведённых магнитопроводов из нового сплава АМАГ204, отличающегося повышенной линейностью, более низкой проницаемоюстью (в пределах 10 000 – 15 000). Новый сплав более оптимален для выходных трансформаторов. Возможно также применение материалов АМАГ201, АМАГ211.

 

​ Технические условия (выписка) КВШУ.684459.091 ТУ (серия MSTAN)