ISDN - цифровая сеть предоставления интегрированных услуг (Integrated Series Digital Network) - многофункциональное понятие, условно объединяющее систему международных стандартов на формат передачи цифровых сигналов и собственно цифровые устройства, отвечающие этим стандартам, предназначенные для подключения конечных пользователей к существующим аналоговым телефонным линиям связи.
Цифровые адаптеры системы ISDN позволяют подключить к одной телефонной линии до 8 терминальных устройств - телефонов, факсов, модемов персональных компьютеров, видеотелефонов и проч. в любой комбинации. Каждое терминальное устройство, подключённое к линии через такой адаптер, может иметь свой собственный номер, что позволяет адресовать вызов абонента к конкретному устройству. Если обычная аналоговая телефонная линия ориентирована на обмен звуковой информацией между двумя абонентами со скоростью передачи данных не более 56 Кбит/сек, то расширение на основе цифровых устройств сети ISDN позволяет использовать такую линию нескольким абонентам одновременно для обмена речью, текстом, данными и подвижным изображением с более высокими скоростями передачи. Скорость 144 Кбит/сек обеспечивается устройствами интерфейса BRI (Basic Rate Interface - интерфейс базовой скорости); устройства же интерфейса PRI (Primary Rate Interface - интерфейс первичной скорости) обеспечивают скорость до 1984 Кбит/сек. Синхронизация передачи сообщений различных типов для различных терминальных устройств абонентов, физически связанных одной телефонной линией, достигается путём передачи по этой линии преобразованных цифровых сигналов на различных частотах.
Таким образом, сети ISDN обеспечивают широкий набор сервисных функций, в числе которых конфиденциальность связи, оперативное соединение абонентов, возможность совмещения телефонных переговоров с передачей данных во времени по одной абонируемой телефонной линии, и позволяют экономить ресурсы абонентов-пользователей за счёт существенного увеличения скорости передачи информации.
Трансформаторы импульсные для сетей ISDN
Трансформаторы импульсные серии MSAPT предназначены для применения в системах телекоммуникации стандарта ISDN для передачи информации в цифровой форме и согласования интерфейсной линии с приёмными и передающими устройствами.
Трансформаторы выполнены на основе тороидальных магнитопроводов, навитых из тонкой аморфной ленты на основе кобальта. Трансформаторы помещены в пластмассовый корпус и залиты компаундом. Материалы корпусов соответствуют классу огнестойкости UL94-VO и степени 120 °C по UL746B.
| Типономинал трансформатора | Отн. числа витков, ± 2% |
Индуктивность первичной обмотки L I + III, мкГн, min (1) |
Индуктивность рассеяния первичной обмотки L I + III, мкГн, max (2) |
Межобм. ёмкость C w/w пФ, max (3) |
Сопрот. обмоток пост. току, Oм, ± 20% |
Импеданс первичной обмотки, ZI = ZIII Oм, min (4) |
Мин. электр. прочность изоляции, Uэфф, кВ (5) | Вид корпуса | Схема намотки и распайки | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RI RIII | R II | |||||||||
| MSAPT-2So-11A | 1:4:1 | 35 | 2,0 | 90 | 0,6 | 3,8 | 750 | 2,5 | Рис. 1 | n° 1 |
| MSAPT-2Up-11A | 1:2,5:1 | 2,0 (1') | 5,3 | 100 | 0,8 | 2,0 | - | 2,5 | Рис. 1 | n° 1 |
| MSAPT-3So-11A | 1:4:1 | 35 | 2,0 | 90 | 0,6 | 3,8 | 750 | 2,0 | Рис. 2 | n° 1 |
| MSAPT-3S1-33B | 2:2:1:1 | 35 | 4,0 | 100 | 0,8 | 2,5 | 750 | 2,0 | Рис. 2 | n° 2 |
| MSAPT-2S1-33B | 2:2:1:1 | 35 | 4,0 | 120 | 0,8 | 2,5 | 750 | 2,0 | Рис. 2 | n° 3 |
| (1) При F = 10 кГц, Uэфф = 100 мВ | ||||||||||
| (1') При F = 10 кГц, Uэфф = 100 мВ, Iпост = 4500 мА × вит | ||||||||||
| (2) При F = 100 кГц, Uэфф = 100 мВ, обмотки II и IV коротко замкнуты | ||||||||||
| (3) При F = 10 кГц, Uэфф = 100 мВ | ||||||||||
| (4) При F = 10 кГц, Urms = 100 мВ, Iпост = 66 мА × вит | ||||||||||
| (5) F = 50 кГц, время испытания 1-2 сек. | ||||||||||
Общий вид, габаритные размеры
Блоки трансформаторов импульсных для сетей ISDN
Блоки трансформаторов импульсных серии MSAPT предназначены для применения в системах телекоммуникации стандарта ISDN для передачи информации в цифровой форме и согласования интерфейсной линии с приёмными и передающими устройствами.
Блоки трансформаторов выполнены на основе тороидальных магнитопроводов, навитых из тонкой аморфной ленты на основе кобальта. Блоки трансформаторов помещены в пластмассовый корпус и залиты компаундом. Материалы корпусов соответствуют классу огнестойкости UL94-VO и степени 120 °C по UL746B.
| Типономинал трансформатора |
Отн. числа витков, ± 2% |
Индуктивность первичной обмотки L I + III, мкГн, min (1) |
Индуктивность рассеяния первичной обмотки L I + III, мкГн, max (2) |
Межобм. ёмкость C w/w пФ, max (3) |
Сопрот. обмоток пост. току, Oм, ± 20% |
Импеданс первичной обмотки, ZI = ZIII Oм, min (4) |
Мин. электр. прочность изоляции, Uэфф, кВ (5) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RI RIII | R II | Между II и I+III обмотками | ||||||
| MSAPT-2So-22A | (1:2)×2 | 35 | 2,0 | 90 | 0,6 | 3,8 | 750 | 2,0 |
| MSAPT-2So-22B | (1:1)×2 | 30 | 2,0 | 80 | 2,0 | 2,0 | - | 2,0 |
| (1) При F = 10 кГц, Urms = 100 мВ | ||||||||
| (2) При F = 10 кГц, Uэфф = 100 мВ, обмотки II и II' коротко замкнуты | ||||||||
| (3) При F = 10 кГц, Urms = 100 мВ | ||||||||
| (4) При F = 20 кГц, Urms= 100 мВ, Iпост = 66 мА × вит | ||||||||
| (5) Время испытания 1 сек. | ||||||||
Общий вид, габаритные размеры
Дроссели интерфейсные для сетей ISDN
Интерфейсные дроссели типа MSSAT предназначены для использования в сетях ISDN или им аналогичных в качестве тококомпенсирующих элементов схемы и обладают следующими преимуществами:
- низкие общие потери в широком диапазоне частот;
- малый объём, компактная конструкция (несколько обмоток на 1 магнитопроводе);
- малые индуктивность рассеивания и паразитная ёмкость.
Дроссели выполнены на основе тороидальных магнитопроводов, навитых из тонкой аморфной ленты на основе кобальта. Дроссели помещены в пластмассовый корпус и залиты компаундом. Материалы корпуса соответствуют классу огнестойкости UL94-V0 и степени 120 °C по UL746B.
| Параметры | Режим измерения | Тип дросселя | Величина, размерность, число обмоток |
Схема расположения выводов | Схема электрическая |
|---|---|---|---|---|---|
| Индуктивность намагничивающей обмотки, +50/-30% | Напряжение 0,04 В Частота 10 кГц |
MSSAT01 (ДИ1, ДИ1У) | 4 × 11,5 мГн | Рис. 1, 3 | Рис. 5 |
| MSSAT02 (ДИ2, ДИ2У) | 2 × 28 мГн | Рис. 2, 4 | Рис. 6 | ||
| MSSAT03 (ДИ3, ДИ3У) | 4 × 58 мГн | Рис. 1, 3 | Рис. 5 | ||
| MSSAT04 (ДИ4, ДИ4У) | 4 × 1,7 мГн | Рис. 1, 3 | Рис. 5 | ||
| MSSAT05 (ДИ5, ДИ5У) | 2 × 70 мГн | Рис. 2, 4 | Рис. 6 | ||
| MSSAT06 (ДИ6, ДИ6У) | 4 × 5 мГн | Рис. 1, 3 | Рис. 5 | ||
| MSSAT07 (ДИ7) | 4 × 90 мГн | Рис. 1 | Рис. 5 | ||
| MSSAT08 (ДИ8, ДИ8У) | 2 × 230 мГн | Рис. 2, 4 | Рис. 6 | ||
| Коэффициент трансформации между обмотками | Напряжение 0,04 В Частота 10 кГц |
MSSAT01 ... MSSAT08 (ДИ1 ... ДИ8) | 1,0 ±1% | ||
| Электрическая прочность изоляции между обмотками | Испытательное напряжение переменного тока частотой 50 Гц Время выдержки 2 сек |
MSSAT01, MSSAT02 (ДИ1, ДИ1У, ДИ2, ДИ2У)
|
1 кВ | ||
| MSSAT07, MSSAT08 (ДИ7, ДИ8, ДИ8У) | 0,5 кВ | ||||
| Индуктивность рассеяния первой обмотки при короткозамкнутых поочерёдно остальных обмотках *, не более | Напряжение 2 В Частота 10 кГц |
MSSAT01 (ДИ1, ДИ1У) | 0,5 мкГн | ||
| MSSAT02 (ДИ2, ДИ2У) | 1,0 мкГн | ||||
| MSSAT03 (ДИ3, ДИ3У) | 1,5 мкГн | ||||
| MSSAT04 (ДИ4, ДИ4У) | 2,0 мкГн | ||||
| MSSAT05 (ДИ5, ДИ5У) | 1,0 мкГн | ||||
| MSSAT06 (ДИ6, ДИ6У) | 0,5 мкГн | ||||
| MSSAT07 (ДИ7) | 2,0 мкГн | ||||
| MSSAT08 (ДИ8, ДИ8У) | 5,0 мкГн | ||||
| Сопротивление обмоток постоянному току *, не более | - | MSSAT01 (ДИ1, ДИ1У) | 0,7 Ом | ||
| MSSAT02 (ДИ2, ДИ2У) | 0,8 Ом | ||||
| MSSAT03 (ДИ3, ДИ3У) | 1,3 Ом | ||||
| MSSAT04 (ДИ4, ДИ4У) | 0,4 Ом | ||||
| MSSAT05 (ДИ5, ДИ5У) | 2,5 Ом | ||||
| MSSAT06 (ДИ6, ДИ6У) | 0,6 Ом | ||||
| MSSAT07 (ДИ7) | 2,3 Ом | ||||
| MSSAT08 (ДИ8, ДИ8У) | 3,0 Ом | ||||
| Баланс импеданса *, не более | Напряжение 40 мВ Частота 100 кГц |
MSSAT01 (ДИ1, ДИ1У) | 2,0 Ом | ||
| * – параметры для справок | |||||
Общий вид, габаритные размеры
Типовое применение дросселей (интерфейс S0)
