Особенности проектирования сетевых фильтров радиопомех в широком диапазоне частот с учетом эквивалентных схем замещения конденсаторов

---

Установлена связь паразитных элементов эквивалентных электрических схем замещения конденсаторов и дросселей с электрофизическими характеристиками материала диэлектрика конденсатора и сердечника дросселя, определяющие их частотные свойства, структуру и параметры элементов схемы замещения.

Рассмотрены особенности проектирования сетевых фильтров радиопомех (ФРП) с учетом паразитных параметров дросселей и конденсаторов ФРП, найденных в результате проведенного синтеза эквивалентных электрических схем замещения дросселей и конденсаторов в широком диапазоне частот 150 кГц – 30 МГц.

Ключевые слова – диэлектрическая проницаемость, магнитная проницаемость, фильтр радиопомех, поведенческая модель.

---

 

Введение

При проектировании радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) разработчикам необходимо знать частотные характеристики импедансов (комплексные сопротивления) конденсаторов и дросселей и их точные высокочастотные эквивалентные электрические структурно-параметрические схемы замещения (поведенческие модели) в широком диапазоне частот до 100 МГц и выше, хорошо адаптируемые к современным вычислительным программам схемотехнического моделирования.

Поводом для обращения авторов к этой теме послужил государственный контракт на выполнение ОКР «Источник-И17-РК» (государственная программа РФ «Развитие оборонного комплекса»). Данная ОКР вызвана импортозамещением модулей фильтров электромагнитных помех (ФРП) с функциями защиты потребителя от перенапряжений, предназначенных для использования во входных и выходных цепях преобразователей DC/DC выпускаемых фирмой Vicor (США) и модулей пассивных ФРП также с функциями защиты от перенапряжений, предназначенных для использования во входных цепях преобразователей AC/DC, выпускаемых фирмой Epcos (Германия). Данные ФРП широко используются в источниках вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры для вооружения и военной техники.

В каждой стране используются десятки-сотни миллионов источников питания в различных электронных устройствах и системах, а в них обязательным устройством являются силовые сглаживающие фильтры и ФРП, неотъемлемой частью которых являются конденсаторы и дроссели.

И наконец, просто конденсаторы и дроссели являются неотъемлемой частью большинства устройств и систем РЭА, поэтому рассмотрение и решение данной проблемы является актуальной задачей.

Динамические процессы в сердечниках дросселей и в диэлектриках конденсаторов могут быть описаны феноменологическими уравнениями (1) и (2) [1-4]:

где: х – смещение доменной границы от положения равновесия при намагниченности;

m – масса доменной стенки;

β – коэффициент трения доменов;

k – коэффициент упругости молекул материала;

μ₀ – магнитная проницаемость в вакууме;

M_S – намагниченность насыщения;

H – напряженность магнитного поля;

q – заряд иона;

E – напряженность электрического поля;

 

Уравнения (1), (2) составлены на основе фундаментальных исследований по теории твердого тела, описанных в работах [5-7] и посвященных технологии изготовления материалов для дросселей и конденсаторов. Коэффициенты дифференциальных уравнений (1), (2) являются электрофизическими характеристиками m, β, k, определяющие особенности динамических процессов в тех или иных материалах сердечников дросселей и диэлектриков конденсаторов. Уравнения (1), (2), составляют теоретическую основу рассматриваемых в настоящей работе вопросов. Уравнение (1) описывает процесс намагничивания ферромагнетиков, а уравнение (2) – поляризацию сегнетоэлектриков и пироэлектриков. С использованием уравнений (1) и (2) в [2-4] получены выражения для комплексных сопротивлений Z_L(p) сердечников и Z_С(p) диэлектриков соответственно: (3), (4)

где:  – постоянная времени колебательного процесса доменных структур, w₀ – круговая частота,

 – коэффициент затухания, p – оператор Лапласа.

 

Комплексные сопротивления Z_L(p) и Z_С(p) в (3) и (4) выражены через коэффициенты T₀, ξ, характеризующие частотные свойства комплексных сопротивлений диэлектриков конденсаторов и сердечников дросселей. Значения коэффициентов T₀, ξ определяются либо вторичными параметрами материала сердечников и диэлектриков (магнитной и диэлектрической проницаемостью μ(ϳω) и e(ϳω)), либо первичными параметрами материала диэлектрика конденсатора и сердечника дросселя, т.е. электрофизическими параметрами m, β, k.

Частотные зависимости комплексной диэлектрической и магнитной проницаемостей приведены на рис. 1.

Нелинейный характер зависимости вещественной и мнимой частей комплексной диэлектрической и магнитной проницаемости показывает о наличии емкостной и индуктивной составляющих соответственно в  импедансе диэлектриков и ферромагнетиков.

Из полученных выражений (3), (4) видно, что Z_L(p) и Z_С(p) являются дробно-рациональными функциями с положительными вещественными коэффициентами, следовательно, эти сопротивления удовлетворяют критерию физической реализуемости  электрическими двухполюсниками составленными из сосредоточенных элементов типа R, L, C. Сопротивлению Z_L(p) может быть поставлен во взаимно-однозначное соответствие двухполюсник в виде параллельного колебательного контура, а сопротивлению Z_С(p) –  в виде последовательного колебательного контура.

Производители ферритов обычно приводят измеренные частотные характеристики действительной μ'(ω) и мнимой μ''(ω) составляющих комплексной магнитной проницаемости.

Производители конденсаторов обычно приводят частотные характеристики модуля сопротивления конденсатора |Z_С(ϳω)|. По частотным характеристикам |Z_С(ϳω)| также могут быть определены значения T₀ и ξ, а, следовательно, и параметры L_Э, C_Э, R_Э эквивалентной электрической схемы, но только не диэлектрика, а конденсатора. При использовании модуля сопротивлений конденсаторов |Z_С(ϳω)| параметры T₀ и ξ будут определяться и свойствами материала диэлектрика, и конструкцией конденсатора.

 

Рисунок 1. Частотные зависимости вещественной и мнимой частей комплексной диэлектрической и магнитной проницаемости

 

Рисунок 2. ЛАЧХ: а) |Z_L(ϳω)|; б) |Z_С(ϳω)|

 

Параметры L_Э, C_Э, R_Э, T₀, ξ могут быть определены из представленных на плоскости логарифмических характеристик |Z_L(ϳω)| и |Z_С(ϳω)| (рис. 2). В общем случае на характеристике |Z_L(ϳω)| для дросселя могут быть выделены три основные зоны. В зоне I (рис. 2а) Z_L(ϳω)|имеет индуктивный характер, в зоне II |Z_L(ϳω)| имеет резистивный характер, а в зоне III – емкостной характер. Для конденсатора, в свою очередь, (рис. 2б) в зоне I – емкостной, в зоне II – резистивный, а в зоне III – индуктивный характер. Частотные характеристики |Z_L(ϳω)| и |Z_С(ϳω)| существенным образом зависят от коэффициента затухания : при ξ1  |Z_L(ϳω)| и |Z_С(ϳω)| имеют выраженный резонанс; при ξ>1 резонанс у |Z_L(ϳω)| и |Z_С(ϳω)| отсутствует (рис. 2). Из выражения  следует, что резонансная частота зависит от массы колеблющихся частиц (доменов): чем крупнее домены, тем ниже резонансная частота и больше паразитные элементы.

Формулы для расчета элементов (L_Э, C_Э, R_Э) эквивалентных электрических схем через электрофизические характеристики материалов m, β, k или через характеристики, определяющие частотные свойства материалов T₀, ξ сведены в табл. 1.

 

Таблица 1 - Формулы соответствия параметров материала диэлектриков и сердечников конденсатов и дросселей T₀, ξ, L, C и параметров L_Э, C_Э, R_Э схем замещения сердечника дросселя и диэлектрика конденсатора

Эквивалентные параметры для схемы замещения (рис. 1а)	Эквивалентные параметры для схемы замещения (рис. 1б)

 

где μ'(0), e'(0) значение действительной (вещественной) составляющей магнитной и диэлектрической проницаемостей сердечника дросселя и диэлектрика конденсатора на частоте ω=0. μ''(ω0), e''(ω0) значение реактивной (мнимой) составляющих μ(ϳω) и e(ϳω) на частоте, где μ'(ω), e'(ω) равны нулю [2-4].

 

 

Экспериментальные исследования

Проведённые теоретические исследования и расчеты частотных характеристик модулей импедансов (комплексных сопротивлений) конденсаторов и дросселей сравнивались с экспериментально измеренными импедансами дросселя с материалом сердечника ГМ414 на приборе E7-20 в диапазоне частот от 10 кГц до 1 МГц. Экспериментальные измерения модуля импеданса конденсатора К10-82n Н20 производились прибором анализатором импеданса Keysight E4990A в диапазоне частот от 1 МГц до 500 МГц.

Сопоставление полученных теоретических расчетов и экспериментально измеренных характеристик ЛАЧХ |Z_С(ϳω)| для конденсатора К10-82n Н20 (рис. 4) и ЛАЧХ |Z_L(ϳω)| для дросселя с материалом сердечников ГМ414 (рис. 3) позволяют сделать вывод о совпадении результатов теоретических исследований и экспериментальных измерений.

 

 

Модель ФРП для симметричных и несимметричных помех

На рис. 5 представлена схема ФРП для сети постоянного тока. Фильтр радиопомех включает элементы для фильтрации как симметричных (дифференциальных), так и несимметричных (синфазных) помех.

Рисунок 5. Схема ФРП для сети постоянного тока

 

 

Дроссель подавления несимметричных помех L содержит две идентичные обмотки на одном сердечнике с высокой магнитной проницаемостью. Обмотки выполнены таким образом, что протекающие через них токи создают магнитные потоки, компенсирующие друг друга. Полярность включения индуктивносвязанных обмоток такова, что для несимметричных помех, распространяющихся по цепи провод – земля, они имеют согласное включение и, следовательно, большое индуктивное сопротивление. Для симметричных помех, распространяющихся по сетевым проводам, они имеют встречное включение и индуктивность сопротивления будет определяться индуктивностями рассеяния обмоток L_S. Обычно индуктивности рассеивания приблизительно равны 1–2% от индуктивности дросселя. Отсутствие намагничивания сердечника дросселя от протекания рабочего тока по сетевым проводам позволяет реализовать большую индуктивность – несколько мГн без насыщения сердечника с большой магнитной проницаемостью при протекании рабочего тока промышленной частоты или постоянного тока. Конденсаторы C_X1 = C_X2 = C_X, включенные между проводами сети, осуществляют фильтрацию помех симметричного вида, которые распространяются по сетевым проводам. Любой из конденсаторов C_X1 или C_X2 может отсутствовать в зависимости от полного сопротивления сети или источника питания, если их сопротивления окажутся слишком низкими для использования конденсаторов. Конденсаторы C_Y1 = C_Y2 = C_Y, включенные между сетевыми проводами и шиной заземления ослабляют несимметричные помехи. Если C_X велико, то C_Y не оказывает влияния на симметричные помехи. Следует отметить, что в сетях постоянного тока нет ограничения на величину емкости C_Y, как в сетях переменного тока в связи с безопасностью обслуживающего данное устройство персонала [8, 9].

На рис. 6 представлены эквивалентные схемы для помех несимметричного и симметричного вида, которые соответствуют фильтру приведенному на рис. 5.

Рисунок 6. Схема фильтра радиопомех для несимметричных и симметричных помех

 

В нижней части защищаемого диапазона частот паразитными параметрами элементов ФРП и монтажа можно пренебречь. Поэтому вносимое затухание ФРП (A, дБ) на нижней частоте защищаемого диапазона f_Н для рассматриваемого в качестве примера, Г – образного фильтра определяется по формуле:

В верхней части защищаемого диапазона паразитные параметры элементов ФРП существенно влияют на частотную характеристику ослабления помех фильтром. С учетом паразитных параметров характеристика ослабления помех имеет вид характеристики режекторного фильтра с ограниченной полосой эффективного ослабления.

Для исследования характеристики ослабления с учетом паразитных параметров целесообразно его моделирование осуществлять с использованием одной из программ схемотехнического анализа электронных схем [10]. При этом элементы ФРП представляются поведенческими моделями (эквивалентными схемами замещения). Для дросселя ФРП это параллельный контур с учетом паразитных сопротивлений R_L, и емкостей C_L, а для емкости это последовательный контур с добавлением паразитных сопротивлений R_С и индуктивности L_С [9,11,12]. Следует отметить, что представленные поведенческие модели конденсаторов и дросселей ФРП с учетом их паразитных параметров в виде последовательных и параллельных контуров являются достаточно грубым приближением реальных схем замещения и может использоваться в диапазоне частот до 30 МГц. В диапазонах частот до 100 МГц и выше, поведенческие модели конденсатора и дросселя существенно усложняются.

На рис. 7 приведена схема ФРП для ослабления симметричных помех. Здесь L2, R2; L8, R8 – паразитные параметры соединительных проводов, а L10, R13; L1, R12 – паразитные параметры провода заземления. Схемы замещения катушек индуктивности представлены параллельным RLC контуром, а схемы замещения конденсаторов – последовательным RLC контуром. Полное сопротивление эквивалента сети моделируется резистором R1, а полное внутреннее сопротивление источника питания резистором R11.

Для рассматриваемого фильтра на частоте f_Н = 150 кГц затухание для несимметричных помех составляет A_НЕС > 50 дБ, для симметричных A_СИМ > 40 дБ. С ростом частотного диапазона в высокочастотной части защищаемого диапазона ослабления помех ФРП снижается.

Рисунок 7 – Модель ФРП для симметричных помех с учетом паразитных параметров дросселей, конденсаторов, проводов заземления, эквивалентных схем сети и ИПН

 

 

Влияние паразитных параметров конденсаторов, дросселей и проводов заземления на частотные характеристики ослабления ФРП

Основная проблема и сложность разработки и изготовления ФРП с оптимальными параметрами по ослаблению ЭМП, массогабаритным характеристикам, устойчивости работы системы ФРП – преобразователь напряжения состоит в том, что в отличие от ведущих зарубежных производителей конденсаторов и магнитных сердечников ни одна из отечественных фирм не представляет разработчикам аппаратуры поведенческих моделей (эквивалентные схемы замещения) конденсаторов и дросселей. В свою очередь отечественные производители ИВЭП не представляют частотно зависимое входное сопротивление импульсных преобразователей напряжения. Входное сопротивление стабилизированных импульсных преобразователей имеет комплексный характер: положительную мнимую составляющую и отрицательную вещественную активную составляющую. Такой характер входного сопротивления ИПН делает потенциально неустойчивой систему ФРП – ИПН [9, 11]. Поэтому наряду с решением проблемы обеспечения сетевым ФРП требуемого ослабления симметричных и несимметричных помех требуется проектировать систему ФРП – ИПН, чтобы она оставалась устойчивой [9, 11].

Проблема устойчивости системы ФРП – ИПН рассматривалась авторами достаточно подробно в монографии [9]. В данной статье ограничимся рассмотрением только электромагнитной совместимости; т.е. ослабление ФРП ЭМП в требуемом частотном диапазоне и на требуемую величину.

На рис. 8 и 9 приведены ЧХ ослабления симметричных помех, где цифрой «1» обозначены зависимости при паразитных параметрах дросселей, конденсаторов, соединительных проводов и проводов заземления, приведенных на модели (рис. 7). Здесь приведены очень оптимистичные паразитные параметры не только для отечественных, но и для зарубежных дросселей и конденсаторов при указанных на схеме номиналах. При заданных паразитных параметрах дросселей L11 и L12 – это конденсаторы C7 = C8 = 40 пФ, а для конденсаторов C3 и C6 – это паразитные индуктивности L3 = L6 = 2 нГн. Ослабление ЭМП фильтром в защищаемом диапазоне 150 кГц – 30 МГц составляет более 40 дБ. С увеличением паразитных емкостей C7 и C8 до 130 пФ и 400 пФ резонансные частоты характеристики ослабления сдвигаются в защищаемый диапазон, но величина ослабления ЭМП фильтром не уменьшается, а увеличивается на резонансных частотах. Это позволяет оптимистично подходить к выбору и изготовлению сердечника для L11 и L12. Принципиально другой характер имеет характеристика ослабления помех фильтром при увеличении паразитных индуктивностей L3 = L6 фильтрующих емкостей C3 и C6. При значении паразитной индуктивности L3 = L6 = 8 нГн ЧХ ослабления помех становятся меньше 40 дБ, т.е. не выполняются требования по подавлению помех. Хотя резонансные частоты не изменились (рис. 9). Следует отметить, что на частоте 10 МГц паразитная индуктивность L3 = L6 = 8 нГн имеет сопротивление X_L = 500 мОм. С увеличением частоты сопротивление системы заземления увеличивается и уменьшается ослабление симметричных помех (рис. 9). Система заземления для ИВЭП с приемкой «5» должна иметь сопротивление не больше 2 мОм [12].

Рисунок 8. Вносимое затухание симметричных помех при паразитных емкостях дросселя

 

Рисунок 9. Вносимое затухание симметричных помех при паразитных индуктивностях конденсаторов

 

Поскольку паразитная индуктивность конденсаторов для ослабления симметричных помех C3 = C6 соединяются последовательно с индуктивностями проводов заземления, то их негативное влияние на ухудшение ослабления помех проявляется дважды: во-первых, с ростом паразитных индуктивностей конденсаторов C3 = C6 ухудшаются фильтрующие свойства конденсаторов, а во-вторых, эта индуктивность входит в систему заземления и тем самым тоже ухудшает ослабление помех. Аналогично паразитная индуктивность проводов заземления L1 = L10, с одной стороны, являясь элементом цепи заземления и увеличивая ее сопротивление, она ухудшает тем самым ослабление симметричных помех, а с другой стороны, она увеличивает сопротивление конденсатора, ухудшая тем самым его фильтрующие свойства, т.е. паразитная индуктивность проводов заземления тоже двояким образом ухудшает ослабление помех. Это требует, с одной стороны, выбора конденсаторов с очень малой паразитной индуктивностью, что, к сожалению, не всегда возможно, потому что необходимых конденсаторов может просто не существовать. С другой стороны, требуется минимизировать длину проводов заземления и увеличивать их диаметр.

Наибольшая чувствительность ЧХ ослабления ФРП симметричных и несимметричных помех в высокочастотной части (свыше одного МГц) защищаемого от ЭМП диапазона обусловлена паразитной индуктивностью конденсаторов С_Х и С_Y ФРП для подавления соответственно симметричных и несимметричных помех и индуктивностью проводов заземления. Для снижения индуктивности проводов заземления надо разрабатывать конструкцию ФРП с минимальной длиной и большей толщиной проводов заземления (не больше нескольких сантиметров длиной).

 

 

Влияние шунтирования высокочастотным конденсатором низкочастотного конденсатора на частотные характеристики ослабления помех

Для снижения негативного влияния паразитной индуктивности конденсаторов ФРП разработчики радиоэлектронной аппаратуры и производители конденсаторов, не имея возможности конструктивно или технологически уменьшить паразитную индуктивность конденсаторов С_Х, пытаются уменьшить ее вредное влияние параллельным соединением сравнительно низкочастотного с достаточно большой паразитной индуктивностью и большим номиналом емкостей С_Х и С_Y ФРП и более высокочастотного и на порядки с меньшими номиналами емкости и паразитными индуктивностями конденсатора.

Рассмотрим эффект от параллельного соединения сравнительно низкочастотных конденсаторов с большим номиналом емкостей, рассчитанных из условия обеспечения требуемого ослабления ЭМП на нижней частоте защищаемого диапазона, и большими паразитными индуктивностями и высокочастотных с малыми номиналами (на порядки меньше) паразитных индуктивностей. Результатом такого соединения на высоких частотах несколько мегагерц и выше является эквивалентная схема из параллельного включения паразитной индуктивности низкочастотных конденсаторов С_Х и С_Y и шунтирующего конденсатора малой емкости. Т.е. получим параллельный колебательный контур, который имея на резонансной частоте большое сопротивление представляет на этой частоте “фильтр пробку” в поперечной ветви ФРП. При этом произойдет резкое уменьшение ослабления ЭМП фильтром радиопомех на резонансной частоте, в котором конденсаторы С_Х = 1,3 мкФ с паразитной индуктивностью L = 10 нГн зашунтированы высокочастотным конденсаторами со значениями емкости 0,3 мкФ, 0,21 мкФ, 0,11 мкФ и 0,01 мкФ (рис. 10).

На рис. 10 видим резонансные всплески уменьшения ослабления помех в высокочастотной части защищаемого диапазона выше трех МГц. Чем меньше номинал шунтирующей емкости, тем выше частота резонансного ослабления помех и меньше величина ослабления помех сетевым фильтром. Для уменьшения резонансного всплеска ослабления помех следует последовательно с шунтирующим высокочастотным конденсатором ставить последовательно резистор с сопротивлением порядка 100 мОм и больше. Величина этого резистора зависит от величины паразитной индуктивности конденсатора С_Х и величины шунтирующей емкости. Величина резистора увеличивается с ростом паразитной индуктивности конденсатора и уменьшением значения шунтирующей емкости. Для определения рационального значения резистора и шунтирующего конденсатора, при которых компенсируется негативное влияние паразитной индуктивности конденсатора С_Х на ЧХ вносимого ФРП ослабления помех необходимо знание паразитной индуктивности конденсатора С_Х. Этот параметр отечественные производители конденсаторов не предоставляют.

 

Рисунок 10. ЧХ вносимого ФРП затухания симметричных помех при шунтировании конденсаторов СХ = С3 = С6 с паразитной индуктивностью L = 10 нГн высокочастотными конденсаторами.

 

 

Заключение

С использованием феноменологических уравнений, описывающих динамические процессы поляризации диэлектриков конденсаторов и намагничивания сердечников дросселей при воздействии на них высокочастотного электромагнитного поля, получены модели конденсатора с учетом нелинейных частотно-зависимых характеристик диэлектрической проницаемости e(ϳω) и модели дросселя с учетом нелинейных частотно-зависимых характеристик магнитной проницаемости μ(ϳω) и их эквивалентные электрические схемы замещения. Установлена связь паразитных элементов эквивалентных электрических схем замещения конденсаторов и дросселей с электрофизическими характеристиками материала диэлектрика конденсатора и сердечника дросселя, а также связь элементов эквивалентной электрической схемы замещения с e(ϳω) и μ(ϳω).

С использованием полученных схем замещения конденсаторов и дросселей выполнено проектирование высокочастотных сетевых ФРП.

Показана ошибочность рекомендаций устранения отрицательного влияния паразитной индуктивности низкочастотных конденсаторов с помощью параллельного включения шунтирующих высокочастотных конденсаторов.

 

Литература

1. Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. К теории дискретности магнитной проницаемости ферромагнитных тел / М.: Наука, 1969. – 512 c.
2. Дмитриков В.Ф., Фрид Л.Е., Кушнерев Д.Н., Чмутин Д.С. Синтез эквивалентных частотных схем замещения дросселя // Практическая силовая электроника, №66, 2017. С. 5-11.
3. Дмитриков В.Ф., Фрид Л.Е., Беляев А.Е., Петроченко А.Ю., Зайцева З.В. Синтез эквивалентных схем замещения дросселей и конденсаторов в широком диапазоне частот с учетом динамических процессов в диэлектриках и магнитных материалах //20th International Conference on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices EDM 2019.
4.  В.Ф., Петроченко А.Ю., Фрид Л.Е., Беляев А.Е., Зайцева З.В. Разработка высокочастотных электрических схем замещения конденсаторов и дросселей с учетом частотных свойств диэлектрической и магнитной проницаемости диэлектриков и магнетиков // Физика волновых процессов и радиотехнические системы, 2020 Т. 23, №2. С. 55-69.
5. Физика твердого тела. Электроны в кристалле. Металлы. Полупроводники. Диэлектрики. Магнетики. Сверхпроводники. / М.: МГИРЭиА, 2008. – 192 с.
6. Головин В.А., Каплунов И.А., Малышкина О.В., Педько Б.Б., Мовчикова А.А. Физические основы, методы исследования и практическое применение пьезоматериалов / М.: ТЕХНОСФЕРА, 2016.  272с.
7. . Теория диэлектриков. Диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери. Перевод с английского / М.: Издательство иностранной литературы. 1960. 251с,
8. ГОСТ Р 51527-99. Совместимость технических средств электромагнитная. Стабилизированные источники питания постоянного тока. Кондуктивные электромагнитные помехи. Нормы и методы испытаний.
9. Дмитриков В.Ф., Шушпанов Д.В. Устойчивость и электромагнитная совместимость устройств и систем электропитания / Москва: Горячая линия – Телеком 2019 г., 540 с.
10. Программа моделирования электрических цепей FASTMEAN
11. Дмитриков В.Ф., Петроченко А.Ю., Шушпанов Д.В., Капралов Г.Н., Замышляев Е.Г., Алексеев М.А. Разработка унифицированных модулей фильтров электромагнитных помех в цепях вторичного электропитания с функциями защиты от импульсных токов и перенапряжений // Электропитание. 2018 г №2.  С. 45-63.
12. . ЭМС для разработчика продукции // Издательский дом “Технологии”, 2003 г.

 

Дмитриков Владимир Федорович¹, 1939 года рождения. Заслуженный деятель науки РФ, лауреат премии ОАО «Газпром», академик РАЕН, член-корр. АЭН, член-корр. МАН ВШ, доктор технических наук, профессор, профессор каф. «Теория электрических цепей и связи» Санкт-Петербургского государственного университета телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича. Окончил в 1967 году Ленинградский политехнический институт им. М.И. Калинина, радиофизический факультет. Член бюро совета «Научные проблемы систем электропитания» при отделении РАН «Электрофизика, энергетика, электротехника». Автор более 350 научных работ и изобретений, в том числе шести монографий, пяти учебников и четырех учебных пособий. Область научных интересов — энергетически высокоэффективные ключевые режимы генерирования и усиления электрических колебаний и информационных сигналов, теория линейных и нелинейных электрических цепей, радиосвязь, радионавигация, преобразовательная техника. Тел.: (812) 305-12-35, e-mail: dmitrikov_vf@mail.ru.

Петроченко Александр Юрьевич², 1995 года рождения. Аспирант АО «Концерн «НПО «Аврора». Окончил в 2017 году Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, факультет фундаментальной подготовки. Автор 17 научных работ. Область научных интересов — энергетически высокоэффективные ключевые режимы генерирования и усиления электрических колебаний и информационных сигналов. Тел.: (812) 442-65-50, e-mail: petrochenko_a@bk.ru

Исаев Вячеслав Михайлович³, доктор технических наук, профессор, директор по научно-техническому развитию и инновациям АО «Росэлектроника»

Шушпанов Дмитрий Викторович¹, 1980 года рождения. Кандидат технических наук, доцент кафедры «Теория электрических цепей и связи» Санкт-Петербургского государственного университета телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича. Окончил в 2002 году Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, факультет многоканальных телекоммуникационных систем. В 2005 году окончил аспирантуру при Санкт-Петербургском государственном университете телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича. Автор более 110 научных работ в том числе одной монографии и одного учебного пособия. Область научных интересов — энергетически высокоэффективные ключевые режимы генерирования и усиления электрических колебаний и информационных сигналов, теория линейных и нелинейных электрических цепей, устройства преобразовательной техники. Тел.: (812) 305-12-35, e-mail: dimasf@inbox.ru.

 

Примечания:

1. Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича

2. АО «Концерн «НПО «Аврора»

3. АО «Российская электроника»

 

​​  Скачать статью в .pdf

Ресурс: Журналы Самарского университета